| 专利名称 | 三元系弛豫基铁电压电单晶及其生长方法 | 申请号 | CN201310352429.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104372409A | 公开（授权）日 | 2015.02.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 许桂生;刘锦峰;杨丹凤;刘莹;陈夏夏 | 主分类号 | C30B29/22(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/22(2006.01)I;C30B29/30(2006.01)I;C30B29/32(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I | 专利有效期 | 三元系弛豫基铁电压电单晶及其生长方法 至三元系弛豫基铁电压电单晶及其生长方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种三元系弛豫基铁电压电单晶及其生长方法，所述三元系弛豫基铁电压电单晶的化学组成为x?A(B11/2B21/2)X3—y?A(B31/3B22/3)X3—(1-x-y)ABX3，0 x 1，0 y 1，且x+y 1。本发明三元系弛豫基铁电压电单晶的相变温度可达到120℃左右，较PMN-PT和PZN-PT有了很大的提高，同时其也具有异常优异的压电性能，压电常数和机电耦合系数也分别为1500pC/N和90%以上，是一种综合性能十分优异的压电材料，使得它在超声换能器、驱动器和传感器件等方面有着非常巨大而广泛的应用前景。 |
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