| 专利名称 | 一种精确定位制备氧化硅纳米岛阵列的方法 | 申请号 | CN201410667606.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104370270A | 公开（授权）日 | 2015.02.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 戴鹏飞;李铁;高安然;鲁娜;王跃林 | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种精确定位制备氧化硅纳米岛阵列的方法 至一种精确定位制备氧化硅纳米岛阵列的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种精确定位制备氧化硅纳米岛阵列的方法，其特征在于所述的方法是利用牺牲层腐蚀技术，使用接触式曝光光刻和湿法腐蚀工艺，即通过三次光刻工艺和进行三次BOE腐蚀工艺制备。本发明在传统“自上而下”方法的基础上，结合独特的设计，不借助于电子束或聚焦离子束直写，仅用接触式曝光技术结合精确控制地牺牲层腐蚀技术，实现了氧化硅纳米岛阵列的精确定位加工制造。方法设计精巧，工艺简单，制作成本低，易于批量制造。 |
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