| 专利名称 | 一种碘化铅和氧化铅复合物薄膜及其制备方法 | 申请号 | CN201410582180.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104362187A | 公开（授权）日 | 2015.02.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 李效民;丁绪坤;高相东;张树德 | 主分类号 | H01L31/0216(2014.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/18(2006.01)I;C23C18/12(2006.01)I | 专利有效期 | 一种碘化铅和氧化铅复合物薄膜及其制备方法 至一种碘化铅和氧化铅复合物薄膜及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种碘化铅和氧化铅复合物薄膜及其制备方法，所述碘化铅和氧化铅复合物薄膜的组成包括碘化铅和氧化铅，优选碘化铅和氧化铅之间的摩尔比为1:1~1:6。本发明属于薄膜制备领域，本发明旨在进一步拓展光电半导体薄膜的种类、并简化薄膜的制备方法，本发明制备的碘化铅和氧化铅复合物薄膜晶粒尺寸小，表面平整，在X射线成像和探测、气敏传感器、光学存储器件等领域有潜在应用。 |
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