| 专利名称 | SOI动态阈值晶体管 | 申请号 | CN201410675314.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104362174A | 公开（授权）日 | 2015.02.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 陈静;吕凯;罗杰馨;柴展;何伟伟;黄建强;王曦 | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 专利有效期 | SOI动态阈值晶体管 至SOI动态阈值晶体管 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提出了一种SOI动态阈值晶体管，包括半导体衬底、第一多叉指栅极结构、第二多叉指栅极结构、体接触区、源区、漏区及第一接触孔；栅极通过第一接触孔与体接触区相连接。通过采用体接触区公用的方法，可以提高体接触区利用率，降低寄生电容，同时，采用多边连接的方式，可以实现较低的栅电阻。当器件处于截止状态时，器件阈值较高，泄露电流低，当器件处于开启状态时，由于体效应的影响，器件阈值电压降低，电流增大。因此器件可以具有陡峭的亚阈值斜率和较大的饱和电流，同时，器件工作电压低，十分适用于低功耗应用。采用本发明的设计方法，可以改善寄生电阻电容，在射频应用领域具有一定的应用价值。 |
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