| 专利名称 | 一种用于CT成像系统的整体封装碳纳米射线源 | 申请号 | CN201410736200.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104362063A | 公开（授权）日 | 2015.02.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院深圳先进技术研究院 | 发明（设计）人 | 张成祥;谭思晴;郑海荣;胡占利;陈垚;桂建宝;洪序达;张韵婉 | 主分类号 | H01J35/24(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J35/24(2006.01)I;H01J35/08(2006.01)I;A61B6/03(2006.01)I | 专利有效期 | 一种用于CT成像系统的整体封装碳纳米射线源 至一种用于CT成像系统的整体封装碳纳米射线源 | 法律状态 | 著录事项变更 | 说明书摘要 | 本发明公开一种用于CT成像系统的整体封装碳纳米射线源，至少包括机壳、阳极和阴极，其中，所述阳极的数量在50个至90个之间，所述阴极的数量在50个至90个之间，所述阳极和阴极均呈环形阵列对应设置在所述机壳内部，所述阳极为固定阳极，所述阴极为碳纳米管阴极。本发明提供一种用于CT成像系统的整体封装碳纳米射线源，将阳极和阴极装配与机架的机壳内，与机架形成整体封装碳纳米射线源，阳极采用固定阳极，阴极采用碳纳米阴极，使阳极具有较好的散热性能，保证了成像质量，提高了可靠性，以及降低了生产和维护成本，另外，该CT成像系统具有低功率和瞬间热熔量较低的特点，延长CT成像系统的连续工作时间，满足需要连续扫描工作的要求。 |
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