| 专利名称 | 一种SOI器件结构及其制作方法 | 申请号 | CN201410541928.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104362093A | 公开（授权）日 | 2015.02.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 胡志远;张正选;宁冰旭;毕大炜;彭超;邹世昌 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 一种SOI器件结构及其制作方法 至一种SOI器件结构及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种SOI器件结构及其制作方法，该结构包括SOI衬底，SOI衬底的顶层硅中形成有由浅沟槽隔离结构隔离的有源区，所述有源区中形成有MOS晶体管；所述有源区侧壁与所述浅沟槽隔离结构之间形成有一收容空间，所述MOS晶体管还包括一对侧壁栅极，该一对侧壁栅极嵌入所述收容空间中，并与MOS晶体管的栅极连接。本发明通过简单的工艺优化形成3D的SOI器件，无需增加光罩数量，与CMOS工艺兼容；SOI器件结构中除了常规栅极，还包括侧壁栅极，使得有源区侧壁变成沟道，在相同的器件面积下，可以大大增加器件的有效宽度，进而增加驱动电流，提高器件性能；并且STI与侧壁沟道被多晶硅侧壁栅极隔开，使得STI远离有源区侧壁，能够提高器件的抗总剂量辐射能力。 |
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