| 专利名称 | 一种多功能组合型纳米图形制作方法 | 申请号 | CN201410658845.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104355287A | 公开（授权）日 | 2015.02.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 张勇辉;魏同波;王军喜;李晋闽 | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81C1/00(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I | 专利有效期 | 一种多功能组合型纳米图形制作方法 至一种多功能组合型纳米图形制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种多功能组合型纳米图形阵列制作方法，包含以下步骤：在衬底上旋涂一层光刻胶；在光刻胶上涂一单层透明微纳米球；在预定波长的光照下，利用透明微纳米球的聚光作用，将涂覆在衬底上的光刻胶曝光，形成图形阵列；将整个样品连带透明微纳米球浸入显影液中显影，从而腐蚀光刻胶被曝光的地方；利用干法刻蚀方法刻蚀微纳米球，使微纳米球缩小，从而在微纳米球之间产生间距；利用微纳米球做为掩膜，干法刻蚀光刻胶；去除残留的微纳米球，完成纳米图形阵列制备。本发明结合了微纳米球做透镜的光刻方法和利用微纳米球做掩膜的光刻方法可以产生更多特殊图案的纳米图形。 |
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