| 专利名称 | 一种基于磁性斯格明子层的磁性多层膜 | 申请号 | CN201310311148.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104347226A | 公开（授权）日 | 2015.02.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 李大来;王守国;陶丙山;韩秀峰 | 主分类号 | H01F10/10(2006.01)I | IPC主分类号 | H01F10/10(2006.01)I;H01F10/12(2006.01)I | 专利有效期 | 一种基于磁性斯格明子层的磁性多层膜 至一种基于磁性斯格明子层的磁性多层膜 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种基于磁性斯格明子层的磁性多层膜，包括依次设置的衬底、缓冲层、钉扎层、隔离层、自由层、覆盖层，其中，所述自由层为磁性斯格明子层或者其钉扎层具有磁性斯格明子钉扎层，并将此基于磁性斯格明子层的磁性多层膜为基础制作隧穿磁电阻磁性隧道结、巨磁电阻纳米多层膜和巨磁电阻纳米柱。能够在较低临界电流密度下实现自由层磁矩的翻转，并实现磁性多层膜体系在高电阻态和低电阻态之间的转变；磁性多层膜的自由层和钉扎层均为磁性斯格明子层，能够在较低临界电流密度下实现自由层磁矩的翻转，从而操控磁性多层膜体系在高电阻态和低电阻态间变化，从而实现“0”和“1”的数据存储及相关的磁性传感器功能。 |
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