| 专利名称 | 遂穿场效应晶体管及其制造方法 | 申请号 | CN201310315534.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104347725A | 公开（授权）日 | 2015.02.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱正勇;朱慧珑;许淼 | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 遂穿场效应晶体管及其制造方法 至遂穿场效应晶体管及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种遂穿场效应晶体管，包括：半导体层；第一栅介质层和第二栅介质层，分别位于半导体层的相对的两个表面上；源极区和漏极区，具有不同的掺杂类型，分别位于半导体层的两侧且与半导体层相接触；第一栅极和第二栅极，分别位于第一栅介质层和第二栅介质层上。本发明通过沟道区的薄厚来控制遂穿结，并具有更大的有效遂穿面积，因此可提高导通电流。同时，本发明的晶体管结构，其遂穿发生于半导体层中，即沟道中，由于隧穿层是非掺杂或低掺杂的，因此可降低由于缺陷引起的漏电流，从而改善器件的亚阈值特性。此外，由于采用双栅控制，因此能更好控制双极导通特性，实现器件关断。 |
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