辐射探测电路

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专利名称 辐射探测电路 申请号 CN201410643636.8 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN104345329A 公开(授权)日 2015.02.11 申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所 发明(设计)人 刘梦新;刘鑫;赵发展;韩郑生 主分类号 G01T1/02(2006.01)I IPC主分类号 G01T1/02(2006.01)I 专利有效期 辐射探测电路 至辐射探测电路 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明提供了一种辐射探测电路,包括:第一辐射敏感PMOS晶体管、第二辐射敏感PMOS晶体管、第一电流源、第二电流源和差分放大器,其中,第一辐射敏感PMOS晶体管、第二辐射敏感PMOS晶体管均用于感测待测辐射;第一电流源和第一辐射敏感PMOS晶体管串联形成第一支路;第二电流源和第二辐射敏感PMOS晶体管串联形成第二支路;第一支路和第二支路并联,且从第一辐射敏感PMOS晶体管、第二辐射敏感PMOS晶体管分别引出的第一支路输出端、第二支路输出端接到差分放大器的两个输入端,差分放大器的输出反映出待测辐射的大小。本发明提供了一种辐射探测电路,它结构简单,并减轻环境噪声的影响。

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