| 专利名称 | 一种基于单壁碳管的非易失性存储器及其制备方法 | 申请号 | CN201410444235.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104332557A | 公开（授权）日 | 2015.02.04 | 申请（专利权）人 | 国家纳米科学中心 | 发明（设计）人 | 邓娅;张健;孙连峰 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种基于单壁碳管的非易失性存储器及其制备方法 至一种基于单壁碳管的非易失性存储器及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种基于单壁碳管的非易失性存储器及其制备方法，属于存储器领域。该存储器包括：基底；第一电极，形成于基底上，第一电极为金属材料，用于执行“读”功能；第二电极，形成于基底上，第二电极为铁磁性材料，用于执行“写”功能；第三电极，形成于基底上，第三电极为金属材料，用于执行“擦”功能；单壁碳管，单壁碳管的固定端固定在第一电极中，开口端悬空于第二电极上方；第二电极位于第一电极和第三电极之间，单壁碳管的长度足以使其弯曲后，单壁碳管的开口端与所述第二电极接触。本发明提供的基于单壁碳管的非易失性存储器具有尺寸小、发热少、能耗低、存储速度快、和寿命长的特点，从而提高集成电路和器件的集成度。 |
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