| 专利名称 | 一种获得厚度大于10nm的室温铁磁性(Ga，Mn)As薄膜的方法 | 申请号 | CN201410552789.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104332304A | 公开（授权）日 | 2015.02.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 赵建华;王海龙 | 主分类号 | H01F41/14(2006.01)I | IPC主分类号 | H01F41/14(2006.01)I;H01F10/32(2006.01)I | 专利有效期 | 一种获得厚度大于10nm的室温铁磁性(Ga，Mn)As薄膜的方法 至一种获得厚度大于10nm的室温铁磁性(Ga，Mn)As薄膜的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种获得厚度大于10nm的室温铁磁性(Ga,Mn)As薄膜的方法，包括：在脱氧后的半绝缘GaAs衬底上高温生长用于平滑衬底表面的GaAs缓冲层；降低生长温度，在GaAs缓冲层上生长(In，Ga)As缓冲层；降低生长温度，在(In，Ga)As缓冲层上生长(Ga,Mn)As薄膜；在(Ga,Mn)As薄膜表面沉积一层面内易磁化的铁磁金属；在铁磁金属上生长一层Al薄膜用于防止铁磁金属氧化。利用本发明，仅通过分子束外延方法生长(In，Ga)As缓冲层在(Ga,Mn)As薄膜中引入面内张应变，使其易磁化轴垂直于表面，继而分离了铁磁金属和(Ga,Mn)As薄膜的宏观磁信号并获得了厚度大于10?nm的室温铁磁性(Ga,Mn)As薄膜。 |
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