| 专利名称 | THz天线阵列的制作方法 | 申请号 | CN201410412325.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104332718A | 公开（授权）日 | 2015.02.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 梁松;朱洪亮 | 主分类号 | H01Q21/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01Q21/00(2006.01)I;G02B6/125(2006.01)I | 专利有效期 | THz天线阵列的制作方法 至THz天线阵列的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种THz天线阵列的制作方法，包括如下步骤：1)选择一衬底；2)在衬底上依次生长缓冲层、无源波导层、光耦合层、折射率匹配层、光吸收层、包层和接触层材料；3)依次刻蚀接触层、包层、光吸收层及折射率匹配层材料至光耦合层，刻蚀的形状为四边形结构，其为光混频器波导；4)在光混频器波导上部的接触层之上制作电极，在其两侧的光耦合层上制作电极；5)刻蚀光耦合层，刻蚀深度至无源波导层形成楔形光耦合波导；6)刻蚀无源波导层至缓冲层，形成1×N分光器、输入波导及无源波导，形成基片；7)在基片上制作THz天线，完成制备。本发明可以得到高性能THz天线阵列器件。 |
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