| 专利名称 | SOI片过孔内金属焊盘的制作方法 | 申请号 | CN201410617616.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104326441A | 公开（授权）日 | 2015.02.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电子学研究所 | 发明（设计）人 | 王军波;谢波;陈德勇 | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | 专利有效期 | SOI片过孔内金属焊盘的制作方法 至SOI片过孔内金属焊盘的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种MEMS圆片级真空封装中过孔焊盘的制作方法。该制作方法利用SOI基片内过孔的特殊结构，采用电化学腐蚀的方法制作过孔内的焊盘，有效解决了SOI片基底层背面金属的电气短路问题，具有成本低、适用于批量生产等优势。 |
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