| 专利名称 | PNIN型InGaAs红外探测器 | 申请号 | CN201410508495.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104319307A | 公开（授权）日 | 2015.01.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 发明（设计）人 | 张志伟;缪国庆;宋航;蒋红;黎大兵;孙晓娟;陈一仁;李志明 | 主分类号 | H01L31/101(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/101(2006.01)I;H01L31/105(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I | 专利有效期 | PNIN型InGaAs红外探测器 至PNIN型InGaAs红外探测器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种PNIN型InGaAs红外探测器，涉及光电子材料与器件的应用领域。PNIN型InGaAs红外探测器，该探测器是依次包括衬底、缓冲层、扩展波长的InGaAs吸收层、n型插入层和盖层的PNIN型探测器结构；其中，所述的n型插入层的厚度为50nm～150nm，其组分与所述扩展波长的InGaAs吸收层的组分相同。本发明的红外探测器增加的n型插入层能够通过产生带阶，抑制载流子的输运，导致暗电流降低，进而提高红外探测器的光电性能。同时降低了对InGaAs材料外延生长的要求，并可在更广泛的波长范围工作。本发明的红外探测器适用于背面进光及倒扣封装结构，具有很好的通用性。 |
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