| 专利名称 | 基于二极管选通的相变存储器的数据读出电路及读出方法 | 申请号 | CN201410631642.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104318955A | 公开（授权）日 | 2015.01.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海市纳米科技与产业发展促进中心 | 发明（设计）人 | 李喜;闵国全;宋志棠;陈后鹏;张琪;王倩;金荣 | 主分类号 | G11C13/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C13/00(2006.01)I | 专利有效期 | 基于二极管选通的相变存储器的数据读出电路及读出方法 至基于二极管选通的相变存储器的数据读出电路及读出方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种基于二极管选通的相变存储器的数据读出电路及读出方法，用于读出所述相变存储器中被选中的相变存储单元所存储的数据，其中，所述基于二极管选通的相变存储器的数据读出电路至少包括：虚拟单元，读电路工作电压产生电路，稳压缓冲电路，读电路以及电平转换电路。本发明的基于二极管选通的相变存储器的数据读出电路及读出方法，通过预先产生使读电路能够安全工作的读出电压，有效地避免了存储单元在读取过程中可能产生的读破坏现象；同时，无须通过钳位电路对被选中的相变存储单元所在的位线进行钳位保护，能有效地加快数据读出过程，特别适用于使用二极管作为选通管的相变存储器。 |
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