| 专利名称 | 基于(111)单晶硅片的高谐振频率高冲击加速度计及制作方法 | 申请号 | CN201410638056.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104316725A | 公开（授权）日 | 2015.01.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 李昕欣;邹宏硕;王家畴;张鲲 | 主分类号 | G01P15/12(2006.01)I | IPC主分类号 | G01P15/12(2006.01)I | 专利有效期 | 基于(111)单晶硅片的高谐振频率高冲击加速度计及制作方法 至基于(111)单晶硅片的高谐振频率高冲击加速度计及制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种基于（111）单晶硅片的高谐振频率高冲击加速度计及制作方法，所述加速度计包括（111）单晶硅基底和集成于单晶硅基底一面的固支板、微梁与力敏电阻。该单晶硅基底上所有功能部件均位于所述单晶硅基底的一面，所述单晶硅基底的另一面不参与工艺制作，加工后的芯片具有尺寸小、工艺简单、成本低的特点，适合大批量生产。同时，所述加速度计实现了高g值、高频响、高带宽的测量要求，大大改善了加速度计的动态测量特性。 |
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