| 专利名称 | 高效薄膜晶硅太阳电池及其自主能源芯片集成技术 | 申请号 | CN201410608127.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104319316A | 公开（授权）日 | 2015.01.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 卞剑涛;端伟元;俞健;刘正新 | 主分类号 | H01L31/20(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/20(2006.01)I;H01L27/142(2014.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/075(2012.01)I;H01L31/0224(2006.01)I | 专利有效期 | 高效薄膜晶硅太阳电池及其自主能源芯片集成技术 至高效薄膜晶硅太阳电池及其自主能源芯片集成技术 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提出了一种高效薄膜晶硅太阳电池及其自主能源集成芯片的制备方法，该方法采用了硅薄膜外延技术，克服了CMOS集成电路和太阳电池对硅材料掺杂浓度要求不同之间的矛盾；太阳电池采用本征非晶硅层/N型非晶硅层/透明导电膜异质结结构，提高了开路电压和转换效率，有利于提高芯片有效面积和集成度；利用了SOI材料中埋氧层的钝化和光学特性，可以提高薄膜晶硅太阳电池性能。该集成技术中，采用了两次ITO技术，克服了高温热处理对太阳电池性能，特别是开路电压的影响。本发明的制备方法与CMOS工艺具有兼容性，适用于大规模的工业生产。 |
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