| 专利名称 | 能够抑制Cu离子迁移的热电材料以及抑制Cu基热电材料中Cu离子迁移的方法 | 申请号 | CN201410520197.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104310457A | 公开（授权）日 | 2015.01.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 仇鹏飞;史迅;陈立东;张天松 | 主分类号 | C01G3/12(2006.01)I | IPC主分类号 | C01G3/12(2006.01)I;C01G49/12(2006.01)I;C01B19/00(2006.01)I | 专利有效期 | 能够抑制Cu离子迁移的热电材料以及抑制Cu基热电材料中Cu离子迁移的方法 至能够抑制Cu离子迁移的热电材料以及抑制Cu基热电材料中Cu离子迁移的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种能够抑制Cu离子迁移的热电材料以及抑制Cu基热电材料中Cu离子迁移的方法，所述热电材料的化学组成为Cu2-m-nTnX，其中，X为S或Se，T为大电流作用下不可移动的过渡金属元素，0 m 1，0＜n 0.5。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障