| 专利名称 | 应用于晶圆级半导体器件的散热结构 | 申请号 | CN201420211415.9 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN204118059U | 公开（授权）日 | 2015.01.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 蔡勇;徐飞;张亦斌 | 主分类号 | H01L23/367(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L23/367(2006.01)I | 专利有效期 | 应用于晶圆级半导体器件的散热结构 至应用于晶圆级半导体器件的散热结构 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种应用于晶圆级半导体器件的散热结构，包括与所述晶圆级半导体器件连接的至少一散热壳体，所述晶圆级半导体器件包括晶圆级基片及由生长在所述基片一面上的外延层直接加工形成的复数功能单胞，所述散热壳体内设有可储纳导热介质的空腔，且至少所述晶圆级半导体器件一面的至少与所述功能单胞相应的局部区域暴露于所述空腔内。进一步的，至少所述晶圆级半导体器件的暴露于所述空腔内的一面的局部区域上分布有散热机构。本实用新型具有结构简单，易于组装维护、低成本等特点，可使晶圆级半导体器件具有最短散热途径和最大散热效能，从而提高其工作稳定性，延长其使用寿命。 |
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