| 专利名称 | 一种新型相变存储单元结构 | 申请号 | CN201420073859.0 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN204118135U | 公开（授权）日 | 2015.01.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 程国胜;卫芬芬;孔涛;张杰;黄荣 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种新型相变存储单元结构 至一种新型相变存储单元结构 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种新型相变存储单元结构，包括依次沉积于衬底上的第一电极层、氮化物绝缘材料层、相变材料层和第二电极层，所述氮化物绝缘材料层内设置有加热电极，所述加热电极分别与第一电极层和相变材料层电性接触，并且相变材料层还与第二电极层电性接触。所述加热电极优选采用氮化物加热电极。本实用新型通过采用氮化物绝缘材料层包覆加热电极，能够有效阻止加热电极被氧化，从而避免出现加热电极阻值不稳定和相变存储器件失效的问题，提高了器件成品率，并大幅降低了器件功耗，且本实用新型在应用于相变存储器中时，还具有低功耗、高密度和高稳定性等特点，是一种可实现对信息的写入，擦除和读出功能的非易失性半导体存储器。 |
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