| 专利名称 | 相变存储器的加热电极及其制备方法 | 申请号 | CN201310300397.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104300081A | 公开（授权）日 | 2015.01.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 程国胜;王龙;孔涛;卫芬芬;黄荣;张杰 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | 相变存储器的加热电极及其制备方法 至相变存储器的加热电极及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种相变存储器的加热电极，所述电极包括：第一层，连接到所述相变存储器的相变材料；所述第一层包括由嵌段共聚物氧化形成的图案化绝缘层；所述图案化绝缘层具有空隙结构，其空隙率为10%～65%；第二层，连接到所述第一层，并且透过所述第一层的空隙结构与所述相变材料连接；所述第二层的材料包括钨、钛以及钨或钛的氮化物；本发明还提供了该相变存储器的加热电极的制备方法。本发明通过在加热电极的加热单元与相变材料之间设置一个具有空隙结构的图案化绝缘层，使加热电极的加热单元与相变材料的接触面积大大减小，从而大幅降低了整个器件的功耗；在制备该加热电极的过程中，无需使用昂贵的高精度光刻工艺，降低了制作成本。 |
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