| 专利名称 | 金锡薄膜的制备装置和方法 | 申请号 | CN201410571421.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104294218A | 公开（授权）日 | 2015.01.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明（设计）人 | 孙广伟;辛国锋;皮浩洋;封惠忠;于阿滨;蔡海文;瞿荣辉 | 主分类号 | C23C14/14(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/14(2006.01)I;C23C14/26(2006.01)I | 专利有效期 | 金锡薄膜的制备装置和方法 至金锡薄膜的制备装置和方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种金锡薄膜制备装置和方法，该装置包括蒸发室、公转轴、公转盘、固定轴、工件架、推杆、支撑架、滑槽、电极和蒸发舟，通过推杆的移动推动Au球和Sn球沿着滑槽滚动落到蒸发舟上从而实现AuSn薄膜的制备，本发明可以精确控制AuSn薄膜中Au和Sn的厚度和比例，得到的薄膜具有结构致密、成分分布均匀的特点，在半导体激光器封装领域具有很高的应用价值。 |
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