| 专利名称 | 一种半导体结构及其制造方法 | 申请号 | CN201310282657.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104282541A | 公开（授权）日 | 2015.01.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 钟汇才;梁擎擎;朱慧珑;叶甜春 | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/45(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体结构及其制造方法 至一种半导体结构及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种半导体结构的制造方法。在衬底上形成一层金属-石墨烯层，形成伪栅、侧墙、源/漏区、层间介质层，去除伪栅以及伪栅下面的金属-石墨烯层，形成栅介质层和栅电极，最后刻蚀接触孔，填充接触孔，并进行平坦化。相应地，本发明还提供了一种半导体结构，利于减小源/漏区的接触电阻。 |
1、源头对接，价格透明
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