| 专利名称 | 鳍型场效应晶体管及其制造方法 | 申请号 | CN201310286545.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104282571A | 公开（授权）日 | 2015.01.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 梁擎擎;钟汇才;朱慧珑;陈大鹏;叶甜春 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 专利有效期 | 鳍型场效应晶体管及其制造方法 至鳍型场效应晶体管及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种鳍型场效应晶体管的及其制造方法，该方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成栅极堆叠，所述栅极堆叠依次包括栅下介质层和栅极材料层；在所述栅极堆叠两侧形成侧墙；形成贯穿栅极材料层和侧墙的鳍空位；在鳍空位中形成栅极介质层；形成位于鳍空位中的鳍结构以及位于鳍结构两侧的源漏区。本发明能够简单、高效地形成用于隔离栅极堆叠和源/漏区的高质量侧墙，有效提高器件生产良率。 |
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