| 专利名称 | 高绝缘碳化硅/氮化硼陶瓷材料及其制备方法 | 申请号 | CN201310294766.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104276823A | 公开（授权）日 | 2015.01.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 李寅生;闫永杰;黄政仁;刘学建;陈忠明 | 主分类号 | C04B35/565(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B35/565(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 专利有效期 | 高绝缘碳化硅/氮化硼陶瓷材料及其制备方法 至高绝缘碳化硅/氮化硼陶瓷材料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种高绝缘碳化硅/氮化硼陶瓷材料及其制备方法，所述陶瓷材料包括碳化硅、通过原位反应产生而均匀分布在碳化硅晶界的氮化硼、以及在所述陶瓷材料的制备中作为烧结助剂的碳化硼和碳，其中按重量计，在所述陶瓷材料中，碳化硅的含量90重量%以上，氮化硼的含量为0.5～10质量%，碳化硼的含量为0.2～2.0质量%，碳的含量为0.5～2.0质量%。本发明提供的高绝缘碳化硅/氮化硼陶瓷材料通过原位反应引入碳化硼相，且碳含量低，提高了碳化硅陶瓷的绝缘性能，并提高了材料的综合性能。 |
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