| 专利名称 | 一种硅基碲镉汞长波光电二极管芯片 | 申请号 | CN201420310542.4 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN204088348U | 公开（授权）日 | 2015.01.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 叶振华;张鹏;陈奕宇;林春;胡晓宁;丁瑞军;何力 | 主分类号 | H01L31/103(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/103(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I | 专利有效期 | 一种硅基碲镉汞长波光电二极管芯片 至一种硅基碲镉汞长波光电二极管芯片 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种硅基碲镉汞长波光电二极管芯片，其结构自下而上依次为：Si衬底，与Si衬底牢固结合的CdTe缓冲层，在CdTe缓冲层上的微台面异质结光电二极管。本实用新型的优点是：相比于传统结构的硅基碲镉汞长波光电二极管芯片，本实用新型的硅基碲镉汞长波光电二极管芯片采用n-on-P+或p-on-N+结构；能够抑制界面复合，提高器件性能；在不使用滤光片的情况下获得窄带响应光谱，提高长波段的探测率；保证大面阵红外探测器象元串联电阻的一致性。 |
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