| 专利名称 | 双开中子屏蔽门防辐射层结构 | 申请号 | CN201420339985.6 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN204087827U | 公开（授权）日 | 2015.01.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院等离子体物理研究所 | 发明（设计）人 | 胡立群;钟国强;张海军;周瑞杰;刘光柱 | 主分类号 | G21F1/10(2006.01)I | IPC主分类号 | G21F1/10(2006.01)I;G21F3/00(2006.01)I | 专利有效期 | 双开中子屏蔽门防辐射层结构 至双开中子屏蔽门防辐射层结构 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种双开中子屏蔽门防辐射层结构，包括有含硼聚乙烯中子屏蔽层和碳钢γ射线屏蔽层，碳钢γ射线屏蔽层置于屏蔽门的两个门扉的内外两侧，并与门扉上、下及外侧边支撑结构钢焊接成一体，形成一侧开口的盒式整体结构，两门扉中间的搭接缝采用5级阶梯式设计，屏蔽门的门框同样采用含硼聚乙烯中子屏蔽层和碳钢γ射线屏蔽层，并按门扉的排布顺序制作，两门扉的左右及上门缝采用固定于门框上的向内凸起的台阶进行遮蔽，下门缝采用可转动的活动挡块进行遮蔽。本实用新型能够在额外占用极少安装空间的情况下，将高能中子、γ射线混合辐射场的剂量降低104～105倍，并且具备良好的缝隙屏蔽效果，提高了屏蔽门防辐射的均匀性。 |
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