一种石墨烯/CdTe-TiO2复合膜光阳极的制备方法

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专利名称 一种石墨烯/CdTe-TiO2复合膜光阳极的制备方法 申请号 CN201410491607.4 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN104264158A 公开(授权)日 2015.01.07 申请(专利权)人 中国科学院海洋研究所 发明(设计)人 李红;王秀通;张亮;侯保荣 主分类号 C23F13/12(2006.01)I IPC主分类号 C23F13/12(2006.01)I;C25D11/26(2006.01)I;C25D9/04(2006.01)I;C25D5/18(2006.01)I;C25D5/54(2006.01)I 专利有效期 一种石墨烯/CdTe-TiO2复合膜光阳极的制备方法 至一种石墨烯/CdTe-TiO2复合膜光阳极的制备方法 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明涉及一种用于光生阴极保护的石墨烯/CdTe-TiO2复合膜光阳极的制备方法,涉及一种复合膜光阳极。提供一种具有高效的用于光生阴极保护的石墨烯/CdTe-TiO2复合膜光阳极的制备方法。以钛箔作为基体,以氢氟酸溶液为电解质溶液,铂作为对电极,进行阳极氧化后煅烧,即可在钛表面制得TiO2纳米管阵列膜;采用循环伏安沉积法,首先在TiO2纳米管阵列膜表面沉积石墨烯量子点,以配制的氧化石墨烯溶液为电解质溶液,以铂为对电极,以饱和甘汞电极(SCE)为参比电极,将石墨烯沉积在TiO2纳米管阵列膜表面,即制得石墨烯/TiO2复合膜;然后在制得的石墨烯/TiO2复合膜表面沉积CdTe量子点,以TeO2、CdSO4和盐酸的混合溶液为电解质溶液,以铂为对电极,以饱和甘汞电极(SCE)为参比电极,将CdTe沉积在石墨烯/TiO2复合膜表面,最终制得石墨烯/CdTe-TiO2复合膜。

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