| 专利名称 | 单壁碳纳米管薄膜的气相连续制备方法及专用装置 | 申请号 | CN201410486883.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104261384A | 公开（授权）日 | 2015.01.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院金属研究所 | 发明（设计）人 | 孙东明;汪炳伟;刘畅;侯鹏翔;成会明 | 主分类号 | C01B31/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B31/02(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I | 专利有效期 | 单壁碳纳米管薄膜的气相连续制备方法及专用装置 至单壁碳纳米管薄膜的气相连续制备方法及专用装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及单壁碳纳米管的浮动催化剂化学气相沉积法制备及其薄膜连续收集技术，具体为一种单壁碳纳米管薄膜的气相连续制备方法及专用装置。在常压室温条件下利用气相抽滤装置，将浮动催化剂化学气相沉积法合成的单壁碳纳米管沉积到匀速移动的微孔滤膜表面，通过控制微孔滤膜的移动速度并调控气流量平衡，获得大面积、均匀、密度可控的单壁碳纳米管薄膜。本发明提出的单壁碳纳米管的气相连续成膜技术，在常压、室温条件下实现了大面积、均匀、密度可控的单壁碳纳米管薄膜的规模化制备，对于推动单壁碳纳米管薄膜在光电器件规模化制备和应用领域的进步具有重要的意义，该薄膜在规模化光电器件制备领域具有应用。 |
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