| 专利名称 | 高频DC-DC降压拓扑和集成芯片以及相关系统 | 申请号 | CN201410552905.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104242646A | 公开（授权）日 | 2014.12.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 李志强;张雪;萧延彬;张海英 | 主分类号 | H02M3/155(2006.01)I | IPC主分类号 | H02M3/155(2006.01)I | 专利有效期 | 高频DC-DC降压拓扑和集成芯片以及相关系统 至高频DC-DC降压拓扑和集成芯片以及相关系统 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种高频DC-DC降压拓扑及其集成芯片，本申请公开的所述高频DC-DC降压拓扑中设置有所述第一MOS管和所述谐振电感，使得所述高频DC-DC降压拓扑中的第二MOS管与第三MOS管实现了零电压导通，即本申请提供的所述高频DC-DC降压拓扑中的开关管全部实现了软开关控制，因此本申请提供的高频DC-DC降压拓扑明显降低了在甚高频状态下工作时的能量损耗。 |
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