| 专利名称 | 碳纳米管发射阴极制备方法及碳纳米管发射阴极 | 申请号 | CN201410466558.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104241062A | 公开（授权）日 | 2014.12.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院深圳先进技术研究院 | 发明（设计）人 | 洪序达;陈垚;郑海荣;桂建保 | 主分类号 | H01J9/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J9/02(2006.01)I;H01J1/304(2006.01)I | 专利有效期 | 碳纳米管发射阴极制备方法及碳纳米管发射阴极 至碳纳米管发射阴极制备方法及碳纳米管发射阴极 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种碳纳米管发射阴极制备方法及碳纳米管发射阴极，包括将石墨烯、作为催化剂的金属可溶性无机盐按照预定比例加入有机溶剂中，制得带正电荷的石墨烯电泳溶液；使用导电基板作为阴极，分别将阳极和所述阴极置于所述石墨烯电泳溶液中，外加电场，制得沉积在所述导电基板上的石墨烯层状结构；将沉积在所述导电基板上的所述石墨烯层状结构放入气相沉积炉内生长碳纳米管。在本申请由于使用电泳沉积法制得沉积在导电基板上的石墨烯层状结构，形成很多谷状结构，碳纳米管分布在这些谷状地形时，提高了阴极的可靠性；石墨烯作为良好的导电连接体，插入碳纳米管网络结构中，提高了电子在碳纳米管网络中的传导性能。 |
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