| 专利名称 | 一种制备自封闭纳米通道的方法 | 申请号 | CN201310231538.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104229724A | 公开（授权）日 | 2014.12.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 顾长志;尹红星;李俊杰;田士兵;全保刚;夏晓翔;杨海方 | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种制备自封闭纳米通道的方法 至一种制备自封闭纳米通道的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种制备自封闭纳米通道的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤A：对衬底进行清洗并烘干，在清洗好的衬底表面依次生长支撑层、牺牲层和自封闭层；步骤B：在所述自封闭层上采用光刻的方法制备相应的光刻胶图形；步骤C：采用干法刻蚀的方法将光刻胶图形转移到所述自封闭层上，并去除残胶；步骤D：对所述牺牲层进行湿法腐蚀处理；步骤E：在去离子水中浸泡；步骤F：用氦气枪吹干，自封闭层自封闭得到纳米通道。该方法制备方法简单，制备的纳米通道形状可以按照需求进行设计，长度可以达到厘米量级，且高度可精确控制并连续可调。同时SiN纳米通道的结构强度较高，且该方法具有较好的可控性、方便性和实用性。 |
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