| 专利名称 | 银纳米线-M相二氧化钒纳米颗粒复合薄膜及其制备方法 | 申请号 | CN201410504650.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104228208A | 公开（授权）日 | 2014.12.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 发明（设计）人 | 李明;潘静;吴昊;钟莉;王强;李广海 | 主分类号 | B32B15/04(2006.01)I | IPC主分类号 | B32B15/04(2006.01)I;B32B15/16(2006.01)I;B32B9/04(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B05D7/24(2006.01)I | 专利有效期 | 银纳米线-M相二氧化钒纳米颗粒复合薄膜及其制备方法 至银纳米线-M相二氧化钒纳米颗粒复合薄膜及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种银纳米线-M相二氧化钒纳米颗粒复合薄膜及其制备方法。薄膜由衬底上依次覆有膜厚为80～120nm的银纳米线膜和100～1000nm的M相二氧化钒纳米颗粒膜组成，其中，构成银纳米线膜的银纳米线的线直径为40～100nm、线长为50～100μm，构成M相二氧化钒纳米颗粒膜的M相二氧化钒纳米颗粒的粒径为20～100nm；方法为先将浓度为0.3～1.5wt％的银纳米线异丙醇溶液旋涂或刮涂于衬底上，干燥后再将浓度为2～5wt％的M相二氧化钒纳米颗粒水或乙醇溶液旋涂或刮涂至其上覆有银纳米线膜的衬底的银纳米线膜上，制得目的产物。它的相变电压低，制备工艺便捷、成本低，可广泛地用于节能窗、气敏传感器、光电开关、热敏电阻、红外遥感接收器和非制冷焦平面辐射探测器等领域。 |
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