| 专利名称 | 一种SiC金属氧化物半导体晶体管及其制作方法 | 申请号 | CN201410513040.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104241338A | 公开（授权）日 | 2014.12.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 霍瑞彬;申华军;白云 | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/04(2006.01)I | 专利有效期 | 一种SiC金属氧化物半导体晶体管及其制作方法 至一种SiC金属氧化物半导体晶体管及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种SiC金属氧化物半导体晶体管及其制作方法，该SiC金属氧化物半导体晶体管包括：源极、栅极、SiO2氧化物介质、N+源区、P+接触区、优化掺杂的P阱、优化掺杂的主结、N-外延层、缓冲层、N+衬底、漏极、优化掺杂的场限环、截止区和隔离介质。本发明提出的制备SiC金属氧化物半导体场效应晶体管器件的方法，能够通过较少能量组合的Al注入，形成优化浓度分布的P-阱及终端结构的SiC金属氧化物半导体场效应晶体管器件，其制备工艺相对简单，并且可以兼顾器件导通特性和击穿特性。通过本发明制备的SiC金属氧化物半导体场效应晶体管器件，可用于功率开关电源电路，DC/DC、AC/DC、DC/AC变换器等。 |
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