| 专利名称 | 极紫外光刻含缺陷掩模衍射谱的快速严格仿真方法 | 申请号 | CN201410487246.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104238282A | 公开（授权）日 | 2014.12.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明（设计）人 | 刘晓雷;李思坤;王向朝;步扬;管文超 | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I | IPC主分类号 | G03F7/20(2006.01)I;G06F17/50(2006.01)I | 专利有效期 | 极紫外光刻含缺陷掩模衍射谱的快速严格仿真方法 至极紫外光刻含缺陷掩模衍射谱的快速严格仿真方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种极紫外光刻含缺陷掩模衍射谱的快速严格仿真方法，该方法将含缺陷多层膜分为无缺陷部分和含缺陷部分两部分，并通过分割法和等效膜层法建模。首先通过薄掩模近似和相位补偿得到掩模吸收层衍射谱，再经过含缺陷多层膜的衍射，最后通过薄掩模近似和相位补偿，得到极紫外光刻含缺陷掩模的衍射谱。本发明提供了一种可快速有效仿真极紫外光刻含缺陷掩模衍射谱的快速严格仿真方法。 |
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