| 专利名称 | 一种基于光栅泰伯效应的检焦方法 | 申请号 | CN201410500277.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104238284A | 公开（授权）日 | 2014.12.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院光电技术研究所 | 发明（设计）人 | 朱咸昌;胡松;赵立新 | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I | IPC主分类号 | G03F7/20(2006.01)I;G03F9/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种基于光栅泰伯效应的检焦方法 至一种基于光栅泰伯效应的检焦方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种基于光栅泰伯效应的检焦方法，其作用是实时检测光刻机系统的硅片位置，完成硅片的高精度调平和调焦。检测系统利用硅片离焦引起的光栅泰伯效应的“自成像”位相变化，完成光刻机硅片的高精度检焦：硅片位于焦面位置时，光栅成像波前为平面波前；硅片离焦时，其成像波前为球面波前。该检测系统结构简单，具有较高的抗干扰能力和较好的工艺适应性。 |
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