| 专利名称 | 氯硼硅酸钡和氯硼硅酸钡非线性光学晶体及制备方法和用途 | 申请号 | CN201310219555.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104213194A | 公开（授权）日 | 2014.12.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 潘世烈;林晓霞;张方方 | 主分类号 | C30B29/34(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/34(2006.01)I;C01B35/12(2006.01)I;C30B9/12(2006.01)I;G02F1/355(2006.01)I | 专利有效期 | 氯硼硅酸钡和氯硼硅酸钡非线性光学晶体及制备方法和用途 至氯硼硅酸钡和氯硼硅酸钡非线性光学晶体及制备方法和用途 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种化合物氯硼硅酸钡和非线性光学晶体氯硼硅酸钡及其制备方法和用途。所述化合物化学式为Ba7SiB3O13Cl，分子量为1265.35，采用固相反应法合成；所述氯硼硅酸钡非线性光学晶体化学式为Ba7SiB3O13Cl，分子量为1265.28，晶体结构属六方晶系，空间群为P63mc，晶胞参数为：a=11.195(4)?,c=7.263(6)?,Z=2,V=788.3?3，晶体具有宽的透光范围，粉末倍频效应为1倍KDP。采用高温熔液法生长晶体；该晶体机械硬度大，易于切割、抛光加工和保存，在制备倍频发生器、上频率转换器、下频率转换器或光参量振荡器等非线性光学器件中得到广泛应用。 |
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