| 专利名称 | P型可逆相变高性能热电材料及其制备方法 | 申请号 | CN201310220037.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104211024A | 公开（授权）日 | 2014.12.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 史迅;刘灰礼;陈立东 | 主分类号 | C01B19/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B19/00(2006.01)I | 专利有效期 | P型可逆相变高性能热电材料及其制备方法 至P型可逆相变高性能热电材料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种P型可逆相变高性能热电材料及其制备方法，所述热电材料为掺杂I的硒化铜基热电材料，其化学组成为Cu2Se1-xIx，其中，0＜x≤0.08，优选0.04≤x≤0.08。本发明提供的热电材料化合物为半导体，相比于室温附近传统的碲化铋基热电材料，此化合物组成简单，原料廉价，成本低，在相变区域具较高的塞贝克系数和优异的电导率，同时具有低的热导率，热电优值（ZT值）在相变温度区附近可以达到1左右。 |
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