| 专利名称 | 窄手性、半导体性单壁碳纳米管的宏量、可控生长方法 | 申请号 | CN201410441540.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104211044A | 公开（授权）日 | 2014.12.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院金属研究所 | 发明（设计）人 | 刘畅;赵石永;侯鹏翔;成会明 | 主分类号 | C01B31/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B31/02(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 窄手性、半导体性单壁碳纳米管的宏量、可控生长方法 至窄手性、半导体性单壁碳纳米管的宏量、可控生长方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及半导体性富集、且特定手性占优单壁碳纳米管的可控制备领域，具体为一种窄手性、半导体性单壁碳纳米管的宏量、可控生长方法。以醇类液态有机物为碳源，氩气为载气和保护气，以高温下结构稳定的多孔介质为担载体，通过浸渍法及后续热处理制备高分散度的双金属催化剂，利用化学气相沉积法生长单壁碳纳米管。双金属催化剂中的一相为高温稳定相，另一相为催化活性相。利用这种催化剂的独特高温结构稳定性，适宜的碳源分解能力，在较宽温度范围内选择性合成了窄手性分布、高质量的半导体性单壁碳纳米管。本发明突破目前窄手性分布碳纳米管生长量少、缺陷多或生长窗口窄等难题，实现宏量、窄手性分布、半导体性单壁碳纳米管的富集生长。 |
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