| 专利名称 | 含有低温插入层的铟镓氮/氮化镓多量子阱太阳能电池 | 申请号 | CN201410426193.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104201220A | 公开（授权）日 | 2014.12.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 杨静;赵德刚;陈平;刘宗顺;江德生 | 主分类号 | H01L31/04(2014.01)I | IPC主分类号 | H01L31/04(2014.01)I;H01L31/0352(2006.01)I | 专利有效期 | 含有低温插入层的铟镓氮/氮化镓多量子阱太阳能电池 至含有低温插入层的铟镓氮/氮化镓多量子阱太阳能电池 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种含有低温插入层的铟镓氮/氮化镓多量子阱太阳能电池，包括：一衬底；一低温成核层，其制作在衬底上，该低温成核层为后续生长氮化镓材料提供成核中心；一非故意掺杂氮化镓缓冲层，其制作在低温成核层上；一n型掺杂氮化镓层，其制作在非故意掺杂氮化镓缓冲层上；一非故意掺杂多量子阱层，其制作在n型掺杂氮化镓层上面的一侧，另一侧的n型掺杂氮化镓层上面形成一台面，该非故意掺杂多量子阱层为铟镓氮太阳能电池的吸收层；一p型掺杂氮化镓层，其制作在非故意掺杂多量子阱层上；一N型欧姆电极，其制作在n型掺杂氮化镓层上的台面上；一P型欧姆电极，其制作在p型掺杂氮化镓层上。本发明具有增加入射光的吸收，并提高载流子的分离效率的优点。 |
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