| 专利名称 | 真空内四通道异形偏转磁铁的制造方法 | 申请号 | CN201410342656.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104200983A | 公开（授权）日 | 2014.12.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院近代物理研究所 | 发明（设计）人 | 孙国平;李学敏;张小奇;王文进;徐大宇;王丰;雷海亮;李寿陆;谢春安 | 主分类号 | H01F41/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01F41/02(2006.01)I;H01F41/06(2006.01)I;H01F41/12(2006.01)I | 专利有效期 | 真空内四通道异形偏转磁铁的制造方法 至真空内四通道异形偏转磁铁的制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及离子束偏转电磁铁---四通道异形偏转磁铁的制造工艺技术领域，尤其是涉及一种真空内四通道异形偏转磁铁的制造方法。其通过：分别加工左、右磁体和中间磁体的四周和上下面，然后在大型数控加工中心上完成三块磁铁的斜面；以磁体底面做基准，在大型数控加工中心上分别加工三块磁铁上的线圈槽；将加工好的磁体进行预装配；在加工好的线圈绕线模具上绕制线圈；采用环氧真空浇注线圈；完成环氧真空浇注后将线圈封装在真空盒中；对装有线圈的真空盒进行氦质谱真空检漏，真空度达到1x10-8Pa，真空漏率不大于1x10-9Pa.L/S；将检漏合格的装有线圈的真空盒和铁芯进行装配，并做磁场测试。磁铁结构稳定性佳、装配简单、便捷、调节方便、加工精度高、外形尺寸及形状误差小。 |
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