| 专利名称 | 一种石墨烯闪存存储器的制备方法 | 申请号 | CN201410466181.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104192835A | 公开（授权）日 | 2014.12.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 王浩敏;谢红;王慧山;李蕾;卢光远;张学富;陈吉;吴天如;谢晓明;江绵恒 | 主分类号 | C01B31/04(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B31/04(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 一种石墨烯闪存存储器的制备方法 至一种石墨烯闪存存储器的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种石墨烯闪存存储器的制备方法，所述方法采用单层或者多层的连续石墨烯薄膜替代多晶硅栅或者氮氧化物存储电荷，能够在有限的物理空间内提高电荷存储容量，由于石墨烯厚度较薄，缩小器件纵向尺寸的同时，消除器件中电容耦合的影响，能有效避免相邻存储单元工作时的串扰问题。本发明的石墨烯闪存存储器的工艺简单，操作简便，在低功耗下便能实现石墨烯闪存存储器数据快速的写入擦除及读取功能。 |
1、源头对接，价格透明
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