| 专利名称 | 晶圆级半导体器件的插拔式电连接结构 | 申请号 | CN201420212560.9 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN203983338U | 公开（授权）日 | 2014.12.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 蔡勇;徐飞;张亦斌 | 主分类号 | H01L33/64(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/64(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I;H01L25/075(2006.01)I | 专利有效期 | 晶圆级半导体器件的插拔式电连接结构 至晶圆级半导体器件的插拔式电连接结构 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种晶圆级半导体器件的插拔式电连接结构，其包括绝缘基体以及弹性导电机构，该弹性导电机构与绝缘基体固定连接，其中该弹性导电机构一端部或两端之间的选定部位与绝缘基体之间形成有可供夹持固定所述晶圆级半导体器件的弹性夹持结构，当将该晶圆级半导体器件插入该弹性夹持结构时，该弹性导电机构一端或两端之间的选定部位还与该晶圆级半导体器件的阴极或阳极电性接触，该晶圆级半导体器件包括晶圆级基片及由生长在所述基片一面上的外延层直接加工形成的复数功能单胞。本实用新型不仅易于加工，成本低廉，且在安装、更换、维修时，只需简单插拔动作，操作便捷，不会损及晶圆级半导体器件，而且可有效保障操作人员的人身安全。 |
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