| 专利名称 | 室温下直接制作导电薄膜的装置及方法 | 申请号 | CN201310192352.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104178721A | 公开（授权）日 | 2014.12.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 张琴;刘静 | 主分类号 | C23C4/06(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C4/06(2006.01)I | 专利有效期 | 室温下直接制作导电薄膜的装置及方法 至室温下直接制作导电薄膜的装置及方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明提供一种室温下直接制作导电薄膜的装置，包括：喷雾装置、数控系统、液态金属墨水、空间方位可调的基底平台、基底、以及场效应控制功能部件，其中，所述基底平台用于支撑所述基底，所述基底用于支撑待成膜构件，所述数控系统用于控制所述喷雾装置、所述基底平台以及所述场效应控制功能部件工作，将室温下所述喷雾装置内的液态金属墨水雾化并以场效应可控方式喷射到所述待成膜构件表面上。本发明还提供了相应的室温下直接制作导电薄膜的方法。本发明提供的室温下直接制作导电薄膜的装置及方法，在常规条件下即可完成制备过程，降低了对环境的要求，进而显著简化了导电及透明导电薄膜制备工艺，提高其生产和应用效率。 |
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