| 专利名称 | 四硼酸钡和四硼酸钡非线性光学晶体及制备方法和用途 | 申请号 | CN201310197383.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104176742A | 公开（授权）日 | 2014.12.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 潘世烈;陈兆慧 | 主分类号 | C01B35/12(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B35/12(2006.01)I;C30B29/10(2006.01)I;C30B15/02(2006.01)I | 专利有效期 | 四硼酸钡和四硼酸钡非线性光学晶体及制备方法和用途 至四硼酸钡和四硼酸钡非线性光学晶体及制备方法和用途 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种化合物四硼酸钡和四硼酸钡非线性光学晶体及制备方法和用途，该化合物四硼酸钡的化学式为BaB4O7，分子量为292.58，该四硼酸钡非线性光学晶体的化学式为BaB4O7，分子量，非中心对称结构，属六方晶系，空间群P65，晶胞参数为a=6.7233(6))?，c=18.776(4)?，V=735.01(17)?3，Z=6，其粉末倍频效应为KDP(KH2PO4)的3倍，紫外截止边低于190nm；四硼酸钡化合物采用固相反应法合成；该四硼酸钡非线性光学晶体采用高温熔液法生长，该晶体机械硬度适中，易于切割、抛光加工和保存，在制备倍频发生器、上频率转换器、下频率转换器或光参量振荡器等非线性光学器件中得到广泛应用。 |
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