| 专利名称 | 中子屏蔽性能检测系统 | 申请号 | CN201420340490.5 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN203965350U | 公开（授权）日 | 2014.11.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院等离子体物理研究所 | 发明（设计）人 | 钟国强;胡立群;普能;林士耀 | 主分类号 | G01N23/02(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N23/02(2006.01)I | 专利有效期 | 中子屏蔽性能检测系统 至中子屏蔽性能检测系统 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种中子屏蔽性能检测系统，包括有防辐射的贮源容器，贮源容器自内到外由防辐射的铅层、石蜡层、镉片层和碳钢外壳层组成，贮源容器内部垂直设有源导管，源导管内装有同位素中子源，同位素中子源在源导管内由带有中子屏蔽活塞的细钢丝绳垂直牵引运动，贮源容器一侧壁开有辐照窗口，辐照窗口内嵌入可活动的准直体及中子慢化块，准直体一端紧靠待测样品，待测样品通过升降平台固定于滑轨上，待测样品的另一侧安装有中子探测器，中子探测器采用支撑架固定于滑轨上。本实用新型能有效降低散射中子对于测试结果的干扰，检测样品厚度最大可达80cm。 |
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