| 专利名称 | 一种制备HfC-SiC复相陶瓷的方法 | 申请号 | CN201310185351.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104163628A | 公开（授权）日 | 2014.11.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 刘吉轩;张国军;刘海涛 | 主分类号 | C04B35/56(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B35/56(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 专利有效期 | 一种制备HfC-SiC复相陶瓷的方法 至一种制备HfC-SiC复相陶瓷的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种制备HfC-SiC复相陶瓷的方法，其包括如下步骤：a)制备HfC-Si3N4-C混合粉体；b)制备HfC-Si3N4-C生坯；c)先在惰性气氛或真空条件下于800～1400℃保温1～2小时，制得HfC-SiC坯体，再在惰性气氛中于1900～2300℃下继续烧结0.5～1小时，制得HfC-SiC复相陶瓷。本发明所制备的HfC-SiC复相陶瓷的致密度高达100%、平均晶粒尺寸均小于1μm；在惰性气氛下可耐2300℃高温，且相组成稳定；在1500℃的四点弯曲强度可达到350MPa以上；另外，本发明方法还具有原料价廉易得、制备工艺简单、可操控性强、容易实现规模化等优点。 |
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