| 专利名称 | 高密度高均匀InGaN量子点结构及生长方法 | 申请号 | CN201410412107.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104157759A | 公开（授权）日 | 2014.11.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 刘炜;赵德刚;陈平;刘宗顺;江德生 | 主分类号 | H01L33/04(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/04(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 专利有效期 | 高密度高均匀InGaN量子点结构及生长方法 至高密度高均匀InGaN量子点结构及生长方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种高密度高均匀InGaN量子点结构及生长方法，其中高密度高均匀InGaN量子点结构，包括：一衬底；一窗口阵列，其制作在衬底上；一GaN纳米柱，其生长在窗口阵列的开孔处，并与衬底表面接触；一第一InGaN量子点，其生长在GaN纳米柱的顶端；一第一势垒层，其覆盖第一InGaN量子点的顶端；一第二InGaN量子点，其生长在第一势垒层上；一第二势垒层，其生长在第一势垒层上，将第二InGaN量子点包裹住；多个InGaN量子点和势垒层，其依次重复生长在第二势垒层上。本发明具有选择性生长所具有的高密度高均匀性和自组装生长所具有的无缺陷高质量的双重优点。 |
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