| 专利名称 | GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结级联太阳电池的制作方法 | 申请号 | CN201310176398.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104157725A | 公开（授权）日 | 2014.11.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 赵勇明;董建荣;李奎龙;孙玉润;曾徐路;于淑珍;赵春雨;杨辉 | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0687(2012.01)I;H01L31/0693(2012.01)I | 专利有效期 | GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结级联太阳电池的制作方法 至GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结级联太阳电池的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明揭示了一种GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结太阳电池的制作方法。基于晶片键合工艺，实现了基于GaAs衬底的GaInP/GaAs双结太阳电池与基于InP衬底的InGaAsP/InGaAs双结太阳电池集成；剥离InP衬底，采用GaAs作为支撑衬底，实现四结带隙能量分别为1.89/1.42/1.05/0.72eV的太阳电池，更大限度地实现太阳光全光谱的吸收和能量转换，而且剥离后的InP衬底经抛光后可重复利用，降低了InP衬底的消耗。本发明提出的四结太阳电池，可减少机械叠层多结太阳电池系统中使用多个衬底所导致的高成本以及光学集成电池中复杂的光学系统导致的光学损失，同时还有效解决了生长多结级联半导体太阳电池材料的晶格失配问题。实现高电压、低电流输出，降低高倍聚光电池中电阻消耗。 |
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